阿卡丽的神秘商店入口-IBM与Crocus合作开发MRAM磁性记忆体技术
IBM同Crocus Technology签署协议,忆体阿卡丽的神秘商店入口希望能够推动它的技术MRAM(磁阻随机存取记忆体)闪存。这次合作对IBM在赛道记忆体(racetrack memory)上的作开研发会有何影响还不明朗。 Crocus Technology是性记磁阻记忆体的开发者,并且已经设计了一种热辅助磁逻辑单元(MLU)。忆体这吸引了IBM的技术兴趣。两家公司签署了合作协议,作开共同开发一种将MLU和IBM MRAM结合在一起的性记半导体技术。 这份合同包含专利授权:IBM和Crocus将共享专利,忆体以便双方可以协同将磁记忆体技术整合到芯片上。技术 IBM Quantum Computing and Exploratory Magnetic Memories(量子计算与开拓性磁性记忆体)部门高级经理William Gallagher表示:“这次联合开发和专利授权协议进一步体现了IBM长期以来致力于通过合作实现创新的作开阿卡丽的神秘商店入口努力。”言下之意:我们没法单独完成。性记 MLU技术可以改善IBM的忆体MRAM.一个MRAM单元是一个磁通道联合(MTJ)--两个磁层的一个边上有一个绝缘层。第一个磁层的磁场方向是固定的,第二层的磁场方向可以和第一层一致也可以和第一层相反。 不同的磁场方向会带来磁阻的变化,也就是说我们可以根据高磁阻和低磁阻来定义二进制的0和1信号。 MLU技术可以帮助IBM和Crocus构建更小的MRAM单元--减少至90纳米或更小--提高存储密度。它为所存储的数据提供了更大的稳定性。Crocus表示它的MLU:“开启了在磁记忆体中部署NAND设置的大门,此前这种做法只可能在闪存记忆体技术上实现。MLU NAND记忆体单元的密度可以是传统磁性记忆体的两倍到4倍,同时可以完全地随机存取。” Crocus Technology的执行主席Bertrand Cambou表示:“MLU有潜力代替SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP等许多独立的和嵌入式记忆体产品。由于MLU的NOR、NAND和XOR能力是构建在单晶圆制程的基础上并采用不同的设计架构,它们可以很容易地整合进片上系统(System-on-Chip)。 Crocus之前曾说过将在芯片制造合作伙伴TowerJazz Seminoconductor那里批量生产130纳米制程的MLU产品,在俄罗斯子公司Crocus Nano Electronics(CNE)那里生产90纳米、65纳米、45纳米制程以下的产品。Crocus表示该公司计划在CNE生产基地那里部署与IBM联合开发的制程技术。 IBM表示它的”MRAM技术相比其他竞争性技术而言有很大的优势,包括低能耗、高速度、无限耐用(读取和写入)、内在的非易失性--这意味着数据可以在电力丢失的时候也能保留。MRAM有潜力支持‘即时启动’计算机,为移动计算设备提供留出更多的电池使用寿命。“ 在我听来,有点像是赛道记忆体。除了这个与Crocus合作的MRAM以外,IBM的Almaden Research Centre研发中心也在开发赛道记忆体。后NAND时代记忆体技术之争正激烈,不一定谁会胜出。IBM知道这一点。
Crocus MRAM:所存储的数据根据磁通道联合的磁场方向变化而变化
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